تحقیق درباره يون گيری واكنشی
مقدمه :
يون گيري واكنشي- PECVD- Ashing- پراكنده كردن مايعات- شيمي پلاسمايي- فيزيك پلاسما- عكس العمل سطوح نسبت به يكديگر
سخنران: Herbert H.Sawin
پروفسور مهندسي شيمي و مهندسي برق و علوم كامپيوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر كمبريج، MA
پيشنهادهاي فهرست شدة سمينار: July 8-12,2002كمبريج، ماساچوست
• ارزيابي هاي سمينار
• معرفي سمينار
• طرح كلي سمينار
• شرح حال و تحقيقات جاري هرب ساوين
• زمينه ها و خصوصيات خواسته شده از ثبت نام كنندگان
• روند كار و نوع سمينار
• اطلاعات براي ذخيره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سايت
• يادداشتهاي نمونه سمينار
• مقالات اخير ساوين
• تماس ها براي سوالات
• ثبت نام در وب سايت
• اطلاعات ناحية بوستون
• سوابق آقاي ساوين
1-معرفي
• فيزيك پلاسما
• فرآيند ريزالكترونيك
2-سيفتيك گازي (Gas Kinetics)
• مدل سيفتيك گازي
• مدل توزيع ماكسول- بولتزمن
• مدل گازي ساده شده
• محتواي انرژي
• نرخ برخورد بين مولكولها
• مسير آزاد
• سياليت عددي ذرات گاز روي يك سطح
• فشار گازي
• خواص انتقال
• جريان گاز
• وضعيت سيال
• رسانايي رساناها
• احتمال برخورد
• پراكندگي گاز- گار
• پراكندگي ذره از يك آرايش ثابت
• انتشار ارتجاعي
• برخورد غير ارتجاعي
• نمونه هاي فرآيندهاي برخورد غير ارتجاعي
• عكس العمل هاي فاز- گازي
3-فيزيك پلاسما
• توزيع انرژي الكتروني
• سينتيك همگوني پلاسما
• مدل توزيع (مارجينوا)
• مدل توزيع (دروي وشتاين)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضايي
• سينتيك گاز رقيق شده
• شكافت انتشار دو قطبي
• تجمع غلاف
• سينتيك سادة غلاف
• حفاظت يا پوشش «ديباي»
• تجمع غلاف و آزمايش بوهم (Bohm)
• آزمايش غلاف بوهم
• خصوصيات ميلة آزمايش
• شكست و نگهداري، تخلية rf
• تقريب ميدان مشابه
• تقريب ميدان غيرمشابه
• مدل سازي ئيدروديناميك خودساختة تخلية rf
• اندازه گيري تخريب rf
• مدل توازن الكترونيكي
تحقیق درباره يون گيری واكنشی
• مقايسة تخريب rf اندازه گيري شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبك مونت كارلوي تخلية rf
• خود با يا سنيگ rf (تجمع خودبخودي rf)
• سيستم همگن (متقارن)
• توزيع ولتاژ در سيستم rf
• توزيع ولتاژ در پلاسماي خازني rf متقارن و غير متقارن
• مدار معادل تخلية rf
• تنظيم الكترودها
• سينتيك بمباران يوني
• تخلية اپتيكي
• لم اندازه گيري حركت
• ريزنگاري تخلية اپتيكي
• فرآيند برخورد الكترون
• برخورد الكتروني اكسيژن در پلاسما
4-تخليه هاي مدار مستقيم (DC)
• اميژن ثانويه الكترون در بمباران يوني
• بمباران خنثي اميژن ثانويه
• عمل فتواميژن الكترونهاي ثانوي
• ناحية كاتدي
• يونيزاسيون در غلاف
• توزيع انرژي يونها
• الكترونهاي اشعه اي (الكترونهاي سريع)
• ناحية آند
• مدل سازي پلاسمايي DC
5-تخليه هاي Rf
• فيزيك پلاسماي rf خازني
• فيزيك تخليه RF كه بصورت القايي فردوج شده اند.
• فيزيك تخليه رزونانس الكترون- سيلكوترون
• فيزيك تخلية هليكون
پيكره بندي و سخت افزار رآكتور
• همگن كردن شبكه ها و تنظيم كننده ها
• شبكه هاي الكترونيكي همسان ساده شده
• تنظيم كننده هاي موج كوتاه
• رآكتورهاي لوله اي
• رآكتورهاي صفحه موازي (ديودي)
• رآكتورهاي صفحه موازي نامتقارن
• گيرندگان يون واكنشي
• گيرندگان واكنشي يون كه بطور مغناطيسي افزايش يا رشد يافته اند.
• گيرندگان اشعه يون واكنشي
• باياسينگ جريان مستقيم در گيرندگان نمادين
• گيرندگان ديودي ارتجاعي
• رآكتورهاي تريودي
• باياسينگ Rf
• محدود كردن مغناطيسي چند قطبي
• منابع پلاسماي غير قابل دسترسي
• ECR توزيع شده
• منابع در حال جريان نزولي
• ماگنترولها
• مونتاژ كردن لايه لايه اي
• تبريد برگشتي هليوم
• محكم كاري الكترواستاتيك
• جستجوي نقطة نهايي
• تجزيه و تحليل تخلية اپتيكي
• ثبت حركات تداخلي
• ثبت ليزري امواج يا حركات تداخلي
• مونيتورينگ يا مشاهده امپدانسي
• فاز گازي
• توليد اتم اكسيژن
• بارگزاري رآكتورها
• واكنشهاي سطحي
• شيمي لايه هايي كه خود بخود واكنش دارند.
• ارتقاء پلميري
• سينتيك مواد نشتي يا رطوبت ده
• الكترون گيري شيميايي فزاينده يوني
• اتمهايي كه با گرفتن يون ارتقاء پيدا مي كنند مثل Cl و Cl+
• پراكندگي و جايگزي حاصل الكترون گيري مثل
• مدلهاي سينتيك الكترون گيري پلي سيليكون
• الكترونگيري پلي سيليكون مرتب شده
• الكترون گيري اكسيد كه توسط يون زياد شده
• الكترون گيري ضد نور كه توسط يون زياد شده
• مقايسه مواد شيميايي ارتقاء يافته با يون و بستهاي الكترون گيري خود بخود شيميايي.
طيف نگاري تخليه اپتيكي
• توده نگاري ميكروسكوپي
• ميلة آزمايش لانگ مير
• فلورسنت القايي با ليزر
• تحليل امپدانس پلاسمايي
• ثبت تداخل با لايه هاي كاملاً چسبيده
8-الكترون گيري جلوه ها
• ده مبارزه برتر الكترون گيري
• مكانيزمهاي گسترش مقطعي
• جهت دار شدن بمباران يوني از پلاسما
• پراكندگي يوني در جوله هاي خاص
• تغيير سطوح در جلوه هاي ويژه
• الكترون دهي و الكترون گيري با پراكندگي
• اتم گيري با القاء يوني
• اتم گيري خودبخود
• جابجايي نمونه ها و فعال ها از پلاسما
• جابجايي مجدد بوسيلة خط ديد توليدات
تحقیق درباره يون گيری واكنشی
• شكست
• جاذبة بالقوة تصوير با ديواره هاي هدايت پذير (رسانا)
• نسبت منظري الكترون گيري وابسته
• تجمع نامتقارن در الكترون گيري پلي سيليكوني و فلزات
9-مدل سازي سه بعدي از عوارض زمين و عوارض جغرافيايي
• مدل سازي سطحي ساده شده
• خصوصيات شبيه ساز مونت كارلو
• مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
• پراكندگي يكنواخت و غيريكنوخت
• انتشار فيزيكي و الكترون گيري با يون فزاينده
• پراكندگي از قسمت سطح منبع
• ارتقاء كيفيت سطحي
• مقايسة نتايج آزمايشي و مدل سازي
• تجمع شكافتهاي ميكروسكوپي به وسيلة پراكندگي يونها
• پراكندگي يوني
• جهت دار شدن يوني
• زاوية ماسك
• تركيب مجدد سطحي
جابجايي از پلاسما
تحقیق درباره يون گيری واكنشی
پسورد فایل: www.bazaarfile.ir
- لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
- همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
- ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.